弥合TSV与传统WLFO/FOWLP之间的差距

我们屡获殊荣的硅片集成扇出技术(SWIFT)®/HDFO)技术旨在提供增加的I/O和电路密度,减少占地面积和外形,用于单模和多模应用。

斯威夫特®该技术能够创造先进的3D结构,解决了新兴移动和网络应用中增加集成IC的需求。SWIFT的鲜明特征®部分原因是由于这种创新的晶圆级封装技术所具有的优良特性。这允许咄咄逼人设计规则要应用,与传统相比WLFO和laminate-based总成。

独特的迅速®功能包括:

  • 聚合物电介质
  • 多模,模量大
  • 大车身封装能力
  • 互连密度可降至2/2 μm
  • 铜柱模具互连至30 μm间距
  • 3 d /Package-on-Package通过模具通过(TMV®)或高大的铜柱
  • 满足JEDEC MSL2a和MSL3 CLR和BLR要求

SWIFT支持技术®包装:

关键的组装技术使这些独特的SWIFT得以创造®特性。使用步进式照片成像设备,可以实现2/2 μm的线/空间特性,从而实现SoC分区和网络应用所需的高密度模对模连接2.5 d TSV通常会使用。微凸点为先进产品提供高密度互连,如应用处理器和基带设备。此外,高大的铜柱使高密度的垂直接口能够在SWIFT顶部安装先进的存储设备®结构。

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