패키징의전도성밀도가
와이드밴드밴드(宽带差距,WBG)반도체기술은전력패키지에새로운과기회를창출창출했습니다。실리콘실리콘이드(sic)와와갈륨(gan)은실리콘mosfet에에비성능지수(fom)가높고높고,전력전자장치효율성,출력전력및/또는주파수주파수,작동온도범위를확장。
손실을이면서같은크기의전력장치로더전력부하를제어할있게있게있게있게있게되었습니다되었습니다있게있게있게되었습니다있게있게되었습니다있게있게되었습니다있게있게있게되었습니다있게있게있게예를들어,질화질화갈륨트랜지스터를사용하는전력시스템은실리콘기반시스템대비,무게무게효율성이1/4수준손실。질화갈륨기술기술은무선시스템등에서(50w)엔드부터중고전력레벨까지시스템문제를할할수수수。질화갈륨기술은5g애플리케이션사용되며중저전패키징적합합니다。마찬가지로실리콘카바이드(sic)는는mosfet보다보다많은전력제어기능갖추고있으며있으며있으며애플리케이에맞는패키징패키징이필요첨단이에。와이드밴드갭(WBG)디바이스의의장점을누리기위해서새로운패키징패키징이필요필요이를하고하고하고전력의가치를를극대화할수수수
오늘날디스크리트전력패키지는클립,와이어및솔더인터페이스의의전기적성능으로되어되어되어되어일반일반으로디스크리트패키징은사이트/용량이클수록전력처리이향상향상디자인원리를。00
그림1。사용가능한한전력(一种)pqfn에볼루션,(b)ed2pak(히트스프레더탭포함),(C)收费제품군,(d)LFPAK.
기존전력패키징에서전체전도성을화하려면다이설계에서사용가능한공간의100%또는그에가까운수준으로전류전달소재에소스및을연결해야해야해야연결해야해야이것은일반으로으로이어수수증가,와이어직경직경,소스또는드레인연결클립의최대화를통해이루어졌습니다。
이전력공간의획기적인능향상을위해선다음가지가지가지필요필요。첫째,소스소스및드레인의의총을최대화해야해야둘째,열및전기인터페이스를를제거이/두께를상당히줄여야합니다。셋째,패키지의전도성재료밀도를높여야합니다합니다。아래의표는오늘날사용되는다양한특정전력패키징의전도성밀도를조사한내용을보여줍니다。
표1。기존전력패키지비교데이터
00오늘날대부분의전력에서,패키지내의전도성물질은거의25%이상사용용되지。(표1참조)
앰코가개발한powercsp™기술이그중하나입니다。PowerCSP기술기술의일반적인전도성밀도40-70%이기에,기존기존전력패키지보다훨씬더작은폼팩터로설계될수수이러한증가는는또는와이어대신에연속연속연속기판을을때문
그림2。PowerCSP™기술의유연성과다양한구성옵션
powercsp기술은전류전달열방출역할을하는하는패드통해다다이모든모든되게통해으로써으로써이이모든모든되게통해을으로써이을할할수있도록있도록있도록수수있도록그결과패키지는낮은저항과인덕턴스를갖게됩니다。패키지의전체전도성밀도가중요한역할을하며,또한시스템의잠재적손실을화하기소스및드레인전체전체인터페인터페인터페인터페사용용
그림3。ED2PAK,TOLL,LFPAK,PowerCSP™(PCSP)설계를위한RDS,LDS및ciss비교
패키지의전도성밀도는전력패키지패키지개발핵심요소요소요소입니다입니다。실리콘,질화갈륨또는실리콘카바이드상관없이,패키지의전도성밀도증가는저항및인덕턴스감소시키고,패키지패키지폼팩터를축소축소수수수수패키지패키지전도성밀도증가를위한노력은패키지의전체인인전력밀도해결도움이될뿐만아니라모든실리콘및와와장치의모든장점을하는데도움이될활용도움이될될입니다이이입니다이입니다입니다이이입니다이입니다입니다이입니다입니다입니다입니다입니다입니다입니다이〗
작성자정보
肖恩鲍德은은미국애리조나주템피소재앰코테크主流高级包集成의의사장장。2000年년앰코에입사했으며현재,리드프레임및전력사업부문의패키지개발을을담당하고이전에는에는기술프로그램,영업및고객서비스를했습니다。당사근무근무전전전전에는에는mat mat电子및霍尼韦尔电子材料에서에서했습니다。그는gonzaga대학대학기계기계을전공했습니다。