Next generation bump technology for greater density, reliability and performance
Cu（銅）ピラーバンプは、現在および将来のRoHS要件を満たしながら、さまざまな設計においてメリットを提供するフリップチップ接続に広く使用されています。トランシーバー、埋め込み型プロセッサ、アプリケーションプロセッサ、パワーマネジメント、ベースバンド、ASICやSOCなど、ファインピッチで、RoHS/Greenに準拠し、低コスト、エレクトロマイグレーション性能の組み合わせが必要とされるアプリケーションに最適な接続方法です。
Benefits of Copper Pillar
- ファインピッチに対し、最小30μmのインラインと30/60μmのスタガードが可能
- 大電流アプリケーション向けの優れたエレクトロマイグレーション性能
- Cuピラーバンプ前のウェハレベルテスト
- ワイヤボンド向けに設計されたチップのボンドパッド開口／ピッチおよびパッドのメタライゼーションと互換性があり、フリップチップへの変換が容易であるため迅速な市場投入が可能
- 基板層数を低減することにより多くの設計においてコストを削減
- 高密度なバンプデザインの接続においてAuスタッドバンプと比較し低コスト
- Cuバータイプ、標準Cuピラー、ファインピッチCuピラーおよびマイクロバンプなど様々なCuピラー構造が揃っています。アプリケーション要件に応じたCu+Ni+Pbフリー、Cu+Ni+Cu+Pbフリーなどの様々なスタックアップもあります。
- 再パッシベーションのあり/なしに対応
- 先端のシリコンノード Low-kデバイスに適応
- チップとパッケージの距離を狭め、より小型のパッケージフットプリントを実現するアンダーフィルのフィレットサイズ縮小
- TSVやCoC向けの最小30μmまでの超ファインピッチ
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