amkor的广受好的介质介质层层叠装（介质层弹出）平静通讯采非导（tcncp）的热压焊和采采填充（cuf）的大规模回流焊来支持小节距倒铜连接。）热压缩焊接的形式得以实现。底端基于和之间的ccb连接连接高度且高密度至介质层装配器材件这高可式的装载器。两片基极之间的晶片晶片，从而降低单位翘曲。顶端介质层则大厦提高顶部装配的灵活性（相对于限制更多的穿塑通（tmv®）），而且能与各种器材件（已已装配器，被元件，晶片，等等）。
底端基因和之间的小节连接实现了高度I / O互连。相对于tmv加工，介质层pop加工通行采更小节距互连加加晶片尺寸而无需增封装尺寸.amkor拥销量产量pop的经验，最先进的硅节点低至7 nm，小于7 nm的项目正在持续开中.amkor迄今为主为大量客户装装上亿件高于器材。
特兰
- 10-16毫米包装尺寸（贯通）;按要求定制套装尺寸
- 灵活适用于各种顶部连接（晶片，vereasting元，等等）的顶端装配I / O接口
- 可提供晶圆减薄/加工<100μm
- 成功的层叠装包（POP）平坦，始终不变的产品性能和可
- 完善的大量荷载技术
- 使用于各种配置的堆叠包装高度，小至0.55毫米
- 顶端和底端基极之间的高级电光连接了延迟提高价信号
- 通讯使用emc密封两片基位之间的晶片了了低
- 相对于限制更多更多的tmv互连，顶端介质层大厦提高了顶部装配的灵活性
- 由于由于POP封装设计，顶端顶端可与各种器材兼容（已装配的存储料，运动元件和晶片等）
- 小节距ccb连接和顶端介质层扇出型布线实现了高度的大量I / O互连
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